#1 |
数量:500 |
|
最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#2 |
数量:500 |
|
最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#3 |
数量:9770 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
|
规格书 |
|
文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 700mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 400 mOhm @ 700mA, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 1.1nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 66.5pF @ 10V |
功率 - 最大 | 300mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商器件封装 | SC-70-6 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 6SC-70 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 0.7 A |
RDS -于 | 400@4.5V mOhm |
最大门源电压 | ±12 V |
典型导通延迟时间 | 5.5 ns |
典型上升时间 | 7 ns |
典型关闭延迟时间 | 7.5 ns |
典型下降时间 | 2.5 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Cut Tape |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±12 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-323 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 400@4.5V |
最大漏源电压 | 20 |
每个芯片的元件数 | 2 |
供应商封装形式 | SC-70 |
最大功率耗散 | 300 |
最大连续漏极电流 | 0.7 |
引脚数 | 6 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 700mA |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | SC-70-6 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 400 mOhm @ 700mA, 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 300mW |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 66.5pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 1.1nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | FDG6317NZCT |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 0.7 A |
封装/外壳 | SC-70-6 |
零件号别名 | FDG6317NZ_NL |
下降时间 | 7 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.000988 oz |
配置 | Dual |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 1.8 S |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 12 V |
系列 | FDG6317NZ |
RDS(ON) | 400 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 0.3 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 7 ns |
漏源击穿电压 | 20 V |
漏极电流(最大值) | 0.7 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �12 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.4 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SC-70 |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 2 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 20 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
Continuous Drain Current Id | :700µA |
Drain Source Voltage Vds | :20V |
On Resistance Rds(on) | :400mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
Threshold Voltage Vgs | :1.2V |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85412100 |
FDG6317NZ也可以通过以下分类找到
FDG6317NZ相关搜索